首頁>理財 > 正文

東吳證券:給予東微半導買入評級

2023-06-30 07:05:56 來源:證券之星


(資料圖片僅供參考)

東吳證券股份有限公司馬天翼,鮑嫻穎,李璐彤近期對東微半導進行研究并發布了研究報告《高性能功率器件技術創新引領者,新品放量打開成長天花板》,本報告對東微半導給出買入評級,當前股價為135.25元。

東微半導(688261)
投資要點
高性能功率器件技術創新引領者,新品放量打開成長天花板。公司重視底層器件結構創新,持續豐富產品矩陣,目前已覆蓋高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級硅MOSFET、TGBT、SiC器件等產品。下游應用領域包括以車載、直流充電樁、光伏逆變器、工業及通信電源為代表的工業級應用領域,以及以手機快速充電器、電源為代表的消費電子應用領域。受益新能源市場需求高增,公司營收持續快速增長,22全年、23Q1營收分別為11.2億元、3.0億元,同增43%、47%。盈利能力方面,受持續進行技術迭代、產品組合結構調整及漲價等綜合因素影響,同時通過數字化手段不斷提升運營效率,公司毛利率、凈利率持續提升。
MOSFET:高壓MOSFET市場快速增長,公司產品性能比肩國際龍頭。伴隨車載OBC、充電樁等下游高壓領域需求增長,高壓MOSFET將迎快速增長,根據電子發燒友,2021年全球中低壓(<400V)和高壓MOSFET(>400V)市場規模分別約71億美元、42億美元,21-26年全球中低壓、高壓MOSFET市場規模CAGR分別約4%、12%。公司超級結MOSFET產品性能國內領先、超級硅MOSFET產品性能國際先進,并持續擴大高壓超級結MOSFET在光伏逆變、儲能應用、UPS領域的業務,成功替換IGBT并且明顯提升系統效率,出貨呈現迅速增加態勢,未來有望深度受益下游大客戶需求高增長。
IGBT&SiC:新能源市場拉動需求增長,公司積極布局。公司獨創Trigate結構IGBT器件,性能國際領先,批量進入光伏逆變及儲能、車載充電機、直流充電樁等領域頭部客戶供應鏈,并在新能源汽車主驅應用領域進入認證階段。22年在SiC二極管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得較大研發進展,其中Si2CMOSFET進入批量生產階段、首次實現營收,實現對采用傳統技術路線的SiCMOSFET的替代。
盈利預測與投資評級:公司是高性能功率器件技術創新引領者,新品放量打開成長天花板。基于此,我們預計公司23-25年歸母凈利潤為3.9/5.2/6.7億元,當前市值對應PE分別為32.8/24.6/19.0倍,首次覆蓋給予“買入”評級。
風險提示:代工產能增長不及預期;功率半導體市場競爭加劇的風險;下游需求不及預期的風險。

證券之星數據中心根據近三年發布的研報數據計算,中金公司成喬升研究員團隊對該股研究較為深入,近三年預測準確度均值高達99.41%,其預測2023年度歸屬凈利潤為盈利3.88億,根據現價換算的預測PE為32.88。

最新盈利預測明細如下:

該股最近90天內共有15家機構給出評級,買入評級12家,增持評級3家;過去90天內機構目標均價為286.67。根據近五年財報數據,證券之星估值分析工具顯示,東微半導(688261)行業內競爭力的護城河良好,盈利能力良好,營收成長性一般。財務相對健康,須關注的財務指標包括:經營現金流/利潤率。該股好公司指標3.5星,好價格指標2.5星,綜合指標3星。(指標僅供參考,指標范圍:0 ~ 5星,最高5星)

標簽:

精彩推薦

關于我們 | 聯系我們 | 免責聲明 | 誠聘英才 | 廣告招商 | 網站導航

 

Copyright @ 2008-2020  www.53123.com.cn  All Rights Reserved

品質網 版權所有
 

聯系我們:435 227 67@qq.com
 

未經品質網書面授權,請勿轉載內容或建立鏡像,違者依法必究!